SMW200A矢量信號源
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R&S®SMW200A 是 由于具有優異的性能、靈活性和操作直觀性,因此是生成高品質復雜數字調制信號的完美工具。R&S®SMW200A 是開發新型寬帶通信系統、3G 和 4G 基站驗證或航空航天和國防領域需要的理想數字調制信號發生器。內置基帶發生器生成的最高 160MHz 帶寬 的 I/Q 調制信號可滿足第 4 代移動通信標準(例如,LTE-Advanced 和 IEEE 802.11ac),因此,R&S®SMW200A 的設計可滿足未來需求。它的模塊化可擴展結構,使用戶能夠優化發生器以適應具體的實際應用,以及根據需要升級信號發生器。
在不損害信號質量的情況下,可以添加第 2 條射頻路徑,以及最多 2 個基帶模塊和 4 個衰落模擬器模塊。因此,R&S®SMW200A 可以創建先前需要多臺儀器完成,甚至完全不能實現的信號場景。從可達 8x2 的 MIMO 到包括衰落的 LTE-Advanced 載波聚合。
如果需要多于 2 條射頻路徑,可以外接 R&S®SGS100A 信號發生器。基于觸摸屏的直觀操作理念可為用戶提供測量全景。無論多么復雜,都可快速提供所需結果。
主要特點
滿足您的所有需求
- • 頻率范圍從 100 kHz 到 3 GHz, 6 GHz, 20 GHz,31.8 GHz 或 40 GHz
- • 2 條射頻路徑的頻率范圍從 100 kHz 到 3 GHz, 6 GHz, 12.75GHz 或 20 GHz
- • 通用配置:從單路徑矢量信號發生器到多信道 MIMO 接收機測試儀
- • 內置最多 8 個信號源和最多 16 個衰落模擬器模塊,是 MIMO、MSR 或 LTE-Advanced 測試的理想工具。
- • 模塊化設計,可最佳適配具體應用
簡化您的設置
- • 可輕松生成復雜信號
- • 2個內置基帶模塊上最多配置 8 個基帶發生器,帶實時編碼器和 ARB 任意波形發生器
- • 可實現內部多路數字基帶信號疊加,各個數字基帶信號之間可以實現數字頻率和幅度偏移
- • 支持所有重要的數字標準,如 LTE、LTE-Advanced、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/ EDGE Evolution、TD-SCDMA、CDMA2000®/1xEV-DO、WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/ac
- • 對于數字標準測試,不需要額外的 PC 軟件
- • LTE 和 3GPP 測試,內置測試用例向導,可輕松進行 3GPP TS 25.141 或 3GPP TS 36.141基站一致性測試
將現實帶進您的實驗室
- • 具有最高 160MHz 帶寬的內置衰落模擬器
- • 預設各種通訊標準規范中定義的所有重要衰落場景
- • 最多可安裝 4 個衰落模塊,提供多達 16 個“邏輯”衰落模擬器
- • 使用一臺儀器,即可執行所有關鍵 MIMO 衰落場景,諸如 2x2、3x3、4x4 和 8x2
- • 支持復雜應用,如雙載波 HSDPA、LTE 載波聚合和多用戶 LTE
- • 可連接 R&S®SGS100A 信號發生器模塊,提供最多 4 條射頻路徑
- • 提供相位相干選件,例如用于波束成形的應用
提高您的設備性能
- • 杰出的信號質量,適合高精度頻譜和調制測量
- • 具有最高 2GHz 射頻調制帶寬的 I/Q 調制器
- • 內部基帶信號發生器可產生最高 160 MHz帶寬的 I/Q 調制信號(射頻)
- • 優異的調制質量, 例如發射160 MHz 寬帶WLAN IEEE 802.11ac 信號時,EVM 為-49 dB(測量值)
- • 高性能脈沖調制,開/關比 >80 dB,上升/下降時間 <10 ns 80 db,上升下降時間 <10 ns > >>
- • 杰出的頻譜純度(1 GHz,20 kHz 偏移時:SSB 相位噪聲 – 139 dBc (典型值))
加速您的開發進程
- • 直觀的操作和智能化的幫助功能將助推成功
- • 框圖作為按鍵操作,可直觀顯示信號流
- • 自適應圖形化用戶界面,可概覽簡單和復雜場景
- • 在信號流中每一點均進行圖形信號監測
- • 帶全部用戶文檔的上下文相關聯機幫助系統
- • 通過人工操作步驟生成可執行遠程控制代碼的 SCPI 宏錄制器和代碼發生器(適用于 MATLAB®,CVI 等)
與您的需要一起成長
- • 根據客戶需求定制儀器,幾乎適應各種應用
- • 先進的插件系統,更新基帶模塊不需要重新校準儀器
- • 可通過密鑰隨時升級軟件,簡單、快速
- • 固件更新功能,始終保持最新技術
Frequency | ||
Frequency range, RF path A | R&S®SMW-B103 | 100 kHz to 3 GHz |
R&S®SMW-B106 | 100 kHz to 6 GHz | |
R&S®SMW-B112 | 100 kHz to 12.75 GHz | |
R&S®SMW-B120 | 100 kHz to 20 GHz | |
R&S®SMW-B131 | 100 kHz to 31.8 GHz | |
R&S®SMW-B140 | 100 kHz to 40 GHz | |
Frequency range, RF path B (optional, see R&S®SMW200A data sheet for possible RF path configurations) | R&S®SMW-B203 | 100 kHz to 3 GHz |
R&S®SMW-B206 | 100 kHz to 6 GHz | |
R&S®SMW-B212 | 100 kHz to 12.75 GHz | |
R&S®SMW-B220 | 100 kHz to 20 GHz | |
Setting time | SCPI mode | < 1.2 ms, 600 μs (typ.) |
Level | ||
Specified level range | 3 MHz ≤ f < 20 GHz | –120 dBm to +18 dBm (PEP) |
R&S®SMW-B131, R&S®SMW-B140 | –120 dBm to +15/+18 dBm (PEP), depending on RF | |
Setting time | SCPI mode | < 1 ms, 600 μs (typ.) |
R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B220, with switching of the mechanical step attenuator | < 25 ms | |
Spectral purity | ||
Harmonics | level < 10 dBm, CW | < –30 dBc |
R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B220, f >3.5 GHz |
< –55 dBc | |
Nonharmonics |
CW or vector modulation with full-scale DC input, level > –10 dBm, carrier offset > 10 kHz, 200 MHz < f ≤ 1500 MHz |
|
standard | < –80 dBc | |
with R&S®SMW-B22 option | < –90 dBc | |
SSB phase noise | CW, carrier offset = 20 kHz, f = 1 GHz | |
standard | < –131 dBc, –135 dBc | |
with R&S®SMW-B22 option | < –136 dBc, –139 dBc | |
CW, carrier offset = 20 kHz, f = 10 GHz | ||
standard | < –111 dBc, –115 dBc | |
with R&S®SMW-B22 option | < –116 dBc, –119 dBc | |
Analog modulation | ||
Supported analog modulation modes | AM, FM (optional), φM (optional), pulse (optional) | |
I/Q modulation | ||
RF modulation bandwidth | with external I/Q, “I/Q wideband” on | |
1 MHz ≤ f ≤ 4 GHz | ±25 % of carrier frequency | |
f > 4 GHz | ±1 GHz | |
f > 4 GHz, R&S®SMW-B112/R&S®SMW-B212 | ±500 MHz | |
with internal baseband, “I/Q wideband” on, f ≥ 320 MHz | ±80 MHz | |
Modulation frequency response in specified RF modulation bandwidth | with internal baseband, “I/Q wideband” on | < 1.0 dB, < 0.3 dB (meas.) |
Baseband generator | R&S®SMW-B10 option, up to two baseband generators can be installed | |
Signal bandwidth | standard | 120 MHz |
with R&S®SMW-K522 option | 160 MHz | |
ARB memory depth | standard | 64 Msample |
with R&S®SMW-K511 option | 512 Msample | |
with R&S®SMW-K511 and R&S®SMW-K512 options | 1 Gsample | |
Sample resolution | equivalent to D/A converter | 16 bit |
Frequency offset | standard | –60 MHz to +60 MHz |
with R&S®SMW-K522 option | –80 MHz to +80 MHz | |
Digital standards | ||
Supported standards and modulation systems | LTE Release 8/9/10/11, 3GPP FDD/HSPA/HSPA+, GSM/EDGE/EDGE Evolution, CDMA2000®, 1xEV-DO Rev. A/B, TD-SCDMA, WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/j/p/ac, AWGN and more | |
Fading and MIMO | ||
Fading simulator | R&S®SMW-B14 option, up to four fading modules can be installed | |
Fading bandwidth | max. 160 MHz | |
Fading channels | depending on options | max. 16 |
MIMO fading scenarios | depending on options | 2x2, 4x2, 2x4, 3x3, 4x4, 8x2, 2x8, 4x2x2 and more |
Fading modes | depending on options | multipath, moving delay, birth-death, high-speed train, two-channel interferer |
Fading profiles | depending on options | Rayleigh, Rice, pure Doppler, static path, Gaussian and more |
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